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雙電晶體隨機存儲器

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雙電晶體隨機存儲器(英語:Twin Transistor random access memory,縮寫:TTRAM)是一種新型的計算機存儲設備,由瑞薩電子研發。

在概念上,雙電晶體隨機存儲器類似傳統的單電晶體、單電容動態隨機存取存儲器(DRAM),但是通過SOI加工技術中固有的浮體效應(Float body effect),從而避免使用電容。

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