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双晶体管随机存储器

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双晶体管随机存储器(英語:Twin Transistor random access memory,缩写:TTRAM)是一种新型的计算机存储设备,由瑞萨电子研发。

在概念上,双晶体管随机存储器类似传统的单晶体管、单电容动态随机存取存储器(DRAM),但是通过SOI加工技術中固有的浮体效应(Float body effect),从而避免使用电容。

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