鉅景科技
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沃福仕股份有限公司 | |
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WeForce.CO., LTD. | |
![]() | |
成立 | 2002 |
代表人物 | 賴淑楓 |
總部 | ![]() |
產業 | IC設計 |
產品 | MCP/SiP |
員工人數 | 55人 |
實收資本額 | 新台幣5.07億元(2011年11月) |
網站 | http://www.weforce.com.tw |
鉅景科技股份有限公司(ChipSiP),公司成立於2002年。是一間專精於提供SiP和MCP微型化解決方案之IC整合設計公司。2005年鉅景針對消費性電子輕薄短小的訴求,研發MCP系列產品,並於當年度上市銷售;2006年至2008年間,鉅景成功進入數位相機的MCP市場;2008年度MCP產品的銷售更達到12Mpcs。在全球的數位相機MCP市場上,已擁有10%的市場佔有率,是台灣致力於研發MCP和SiP的領導廠商。
2019年,鉅景科技股份有限公司更名為沃福仕股份有限公司,ChipSiP繼續保留為產品品牌,將繼續利用多年來累積深厚微型化系統的設計與整合經驗,為客戶提供多元的客製化需求元件,開拓多樣化的終端產品應用領域,滿足客戶需求為優先,不斷追求創新,堅持最佳品質。我們帶領精實敏捷的專業團隊,將持續與全球客戶、廠商維持穩定信任的合作夥伴關係,在設計整合的服務中努力精進,共同面對機會與挑戰,展現優質的產業競爭力,優化全球性市場的占有率。
產品列表
鉅景多年發展SiP和MCP產品,擁有超過10年以上之RF、邏輯等元件設計與整合經驗,並建立龐大之晶圓資料庫與封裝資源整合能力,有效運用SiP技術為客戶提供標準與客製化產品服務。
MCP系列產品
在2008年5月鉅景發表全球第一個的9X9mm封裝的快閃記憶體(Nand flash)加上動態存取記憶體(DDR/DDRII)的Memory MCP。為滿足客戶需要更多設計空間和彈性的要求,鉅景設計不同容量與規格的Memory MCP供客戶選擇,亦根據客戶需求設計客製化Memory MCP。
● 使用MCP的優點:
1. 節省整體物料成本
2. 簡化設計流程
CT47 |
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NAND Flash+DDR SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT47568SR566 | 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT47128SR566 | 512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT47248NS566 | 1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT47568SR126 | 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT47248NS126 | 1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Ready | |
CT47488NS126 | 2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT47568SR566A | 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 9x9x1.2 | Request | |
CT47568SR126A | 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 9x9x1.2 | Request | |
CT47128SR126A | 512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 9x9x1.2 | Request |
CT48 |
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NAND Flash+DDRII SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT48568SR126 | 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT48248NS126 | 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT48488NS126 | 2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT48568SR246 | 256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | M/P | |
CT48128SR246 | 512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | Request | |
CT48248NS246 | 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | M/P | |
CT48488NS246 | 2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | Ready | |
CT48568SR126A | 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | M/P | |
CT48128SR126A | 512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | M/P | |
CT48248NS126A | 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | Request | |
CT48248NS246A | 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | Ready |
CT83 |
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DDRII SDRAM Stack |
Part Number | Description | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT83962C | 4Gb DDRII | 1.8V | x32 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | 2009/7 | |
CT83482D | 2Gb DDRII | 1.8V | x32 | DDRII667 | FBGA | 10.5x13.5x1.1 | 2009/9 | |
CT83242D | 1Gb DDRII | 1.8V | x32 | DDRII667 | FBGA | 10.5x13.5x1.1 | Request |
M71 |
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NOR Flash+pSDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
M71NL03240BGW0P(K)0 | 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 70ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | Ready | |
M71PL03280BGW0E0 | 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 70ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 | |
M71PL032A0BGW0E0 | 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 70ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 | |
M71PL064A0BGW0E0A | 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 96ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 | |
M71PL064B0BGW0E0A | 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 96ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 |
M5D |
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NAND Flash+M-SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
M5D568566B | 256Mb NAND+256Mb M-SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | 166MHz | TFBGA | 9x10.2x1.2 | Request | |
M5D128566B | 512Mb NAND+256Mb M-SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16 | 166MHz | TFBGA | 9x10.2x1.2 | Request | |
M5D1G8122B | 1Gb NAND+512Mb M-SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | 166MHz | TFBGA | 11x13x1.2 | Ready | |
M5D1G6566A | 1Gb NAND+256Mb M-SDRAM | 1.8V | x16 | 25ns | 1.8V | x16 | 166MHz | TFBGA | 10.5x13x1.2 | 2009/Q3 |
M5E |
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NAND Flash+M-DDR SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
M5E568562B | 256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 11x13x1.2 | Request | |
M5E128566(2)B | 512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16/x32 | DDR333 | TFBGA | 11x13x1.2 | Request | |
M5E1G8566(2)B | 1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16/x32 | DDR333 | TFBGA | 11x13x1.2 | Request | |
M5E1G8126B | 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Request | |
M5E1G8122B | 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Ready | |
M5E1G81G2B | 1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Ready | |
M5E2G81G2B | 2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Ready | |
M5E4G81G2B | 4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Request | |
M5E1G6126A | 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM | 1.8V | x16 | 25ns | 1.8V | x16 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | 2009/Q3 |
CT46 |
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NOR Flash+DDR-SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT46160BB566 | 16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8/x16 | 70ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Ready | |
CT46320BB566 | 32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8/x16 | 70ns | 2.5V | x16 | DDR400 | TFBGA | 8x10x1.2 | Request |
CT72 |
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NOR Flash+M-SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT72326MT646 | 32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM | 1.8V | x16 | 70ns | 1.8V | x16 | 133MHz | TFBGA | 8x10x1.2 | Request | |
CT72646MT646 | 64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM | 1.8V | x16 | 70ns | 1.8V | x16 | 133MHz | TFBGA | 8x10x1.2 | Ready |
SiP客製化
System In Package(SiP)的優點
1.體積微型化
2.高靈活性的系統設計
3.減少較長的設計週期及功能驗證時間
4.易於整合不同的晶元製程
5.可有效抑制電磁干擾
6.某些不易取得的智財,SiP可用其封裝好的積體電路實現其PoP或PiP的結構
SiP開發階段
1. 工程樣品階段(三至六個月)
2. 量產階段(二至三個月)
應用領域
鉅景專精發展SiP 技術,並運用此技術,鉅景研發一系列不同組合的多晶片封裝記憶體(Memory MCP)產品,適用於消費性電子產品如數位相機,數位攝影機,智慧型手機,多媒體手機以及衛星導航系統。並因應消費性電子商品體積越來越輕薄且需整合更多功能的趨勢下。鉅景持續發展先進memory MCP解決方案並創造SiP產業價值鍊。
公司大事紀
- 2019/07:更名為沃福仕股份有限公司
- 2009/04:通過ISO14001:2004認證
- 2008/12:鉅景科技於公開市場興櫃,股票代碼3637。
- 2008/12:榮獲勤業眾信亞洲區Fast 500營收成長第十名。
- 2008/08:通過ISO9001:2000認證。
- 2008/07:獲得勤業眾信台灣高科技Fast 50 營收成長評比第二名。
- 2008/04:發表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP產品。
- 2008/01:宣佈以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP進軍高階手機應用市場。
- 2007/12:成功進軍韓國市場,並獲得韓系數位相機領導大廠設計認可,並量產數位相機系列產品。
- 2007/09:發表M71(NOR+pSRAM)MCP產品主攻多媒體手機應用。
- 2007/07:開發CT72(M-NOR+SDRAM)MCP應用於通訊模組客戶端。
- 2007/03:CT48 MCP(10x13mm)產品線,成功設計於美系數位相機品牌廠商。
- 2007/01:研發CT46(NOR+DDR)MCP,並設計使用於數位相機鏡頭模組。
- 2006/06:全球獨家發表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列產品。
- 2006/05:日系品牌大廠使用CT47系列產品,並成功量產其數位相機。
- 2005/09:開發DSC+PDA(CT162)平台。
- 2005/07:研發首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP產品推廣於數位相機市場。
- 2004/12:提供IC設計客戶端SiP服務並研發ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
- 2004/06:協助系統業者開發Car Navigator相關設計應用。
- 2003/12:發表Bus-Multimedia系統平台。
- 2003/03:研發Car-Alarm相關系統設計。
- 2003/03:開發 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆疊)予IPC廠商。
- 2003/04:研發CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推數位相機客戶。
- 2002/02:發表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
- 2002/08:鉅景成立。
參考資料
^ http://www.weforce.com.tw (頁面存檔備份,存於網際網路檔案館)
^ 黃繼寬,〈SiP理念日趨普及 鉅景代客戶操刀差異設計〉,《新通訊元件雜誌》2009年6月20日
^ 〈引領台灣SiP產業進入下一個獲利時代〉,《天下雜誌-成長400 7月號 》2008年7月