钜景科技
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沃福仕股份有限公司 | |
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WeForce.CO., LTD. | |
![]() | |
成立 | 2002 |
代表人物 | 赖淑枫 |
总部 | ![]() |
产业 | IC设计 |
产品 | MCP/SiP |
员工人数 | 55人 |
实收资本额 | 新台币5.07亿元(2011年11月) |
网站 | http://www.weforce.com.tw |
钜景科技股份有限公司(ChipSiP),公司成立于2002年。是一间专精于提供SiP和MCP微型化解决方案之IC整合设计公司。2005年钜景针对消费性电子轻薄短小的诉求,研发MCP系列产品,并于当年度上市销售;2006年至2008年间,钜景成功进入数码相机的MCP市场;2008年度MCP产品的销售更达到12Mpcs。在全球的数码相机MCP市场上,已拥有10%的市场占有率,是台湾致力于研发MCP和SiP的领导厂商。
2019年,钜景科技股份有限公司更名为沃福仕股份有限公司,ChipSiP继续保留为产品品牌,将继续利用多年来累积深厚微型化系统的设计与整合经验,为客户提供多元的客制化需求元件,开拓多样化的终端产品应用领域,满足客户需求为优先,不断追求创新,坚持最佳品质。我们带领精实敏捷的专业团队,将持续与全球客户、厂商维持稳定信任的合作伙伴关系,在设计整合的服务中努力精进,共同面对机会与挑战,展现优质的产业竞争力,优化全球性市场的占有率。
产品列表
钜景多年发展SiP和MCP产品,拥有超过10年以上之RF、逻辑等元件设计与整合经验,并建立庞大之晶圆数据库与封装资源整合能力,有效运用SiP技术为客户提供标准与客制化产品服务。
MCP系列产品
在2008年5月钜景发表全球第一个的9X9mm封装的快闪存储器(Nand flash)加上动态存取记忆体(DDR/DDRII)的Memory MCP。为满足客户需要更多设计空间和弹性的要求,钜景设计不同容量与规格的Memory MCP供客户选择,亦根据客户需求设计客制化Memory MCP。
● 使用MCP的优点:
1. 节省整体物料成本
2. 简化设计流程
CT47 |
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NAND Flash+DDR SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT47568SR566 | 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT47128SR566 | 512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT47248NS566 | 1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT47568SR126 | 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT47248NS126 | 1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Ready | |
CT47488NS126 | 2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT47568SR566A | 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 9x9x1.2 | Request | |
CT47568SR126A | 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 9x9x1.2 | Request | |
CT47128SR126A | 512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 9x9x1.2 | Request |
CT48 |
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NAND Flash+DDRII SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT48568SR126 | 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT48248NS126 | 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | Request | |
CT48488NS126 | 2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | M/P | |
CT48568SR246 | 256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | M/P | |
CT48128SR246 | 512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | Request | |
CT48248NS246 | 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | M/P | |
CT48488NS246 | 2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 10x13x1.2 | Ready | |
CT48568SR126A | 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | M/P | |
CT48128SR126A | 512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | M/P | |
CT48248NS126A | 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | Request | |
CT48248NS246A | 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDRII667 | TFBGA | 9x9x1.2 | Ready |
CT83 |
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DDRII SDRAM Stack |
Part Number | Description | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT83962C | 4Gb DDRII | 1.8V | x32 | DDRII667 | FBGA | 10x13x1.4 | 2009/7 | |
CT83482D | 2Gb DDRII | 1.8V | x32 | DDRII667 | FBGA | 10.5x13.5x1.1 | 2009/9 | |
CT83242D | 1Gb DDRII | 1.8V | x32 | DDRII667 | FBGA | 10.5x13.5x1.1 | Request |
M71 |
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NOR Flash+pSDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
M71NL03240BGW0P(K)0 | 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 70ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | Ready | |
M71PL03280BGW0E0 | 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 70ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 | |
M71PL032A0BGW0E0 | 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 70ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 | |
M71PL064A0BGW0E0A | 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 96ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 | |
M71PL064B0BGW0E0A | 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM | 3.3V | x16 | 96ns | 3.3V | x16 | 70ns | TFBGA | 7x9x1.2 | 2009/8 |
M5D |
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NAND Flash+M-SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
M5D568566B | 256Mb NAND+256Mb M-SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x16 | 166MHz | TFBGA | 9x10.2x1.2 | Request | |
M5D128566B | 512Mb NAND+256Mb M-SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16 | 166MHz | TFBGA | 9x10.2x1.2 | Request | |
M5D1G8122B | 1Gb NAND+512Mb M-SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | 166MHz | TFBGA | 11x13x1.2 | Ready | |
M5D1G6566A | 1Gb NAND+256Mb M-SDRAM | 1.8V | x16 | 25ns | 1.8V | x16 | 166MHz | TFBGA | 10.5x13x1.2 | 2009/Q3 |
M5E |
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NAND Flash+M-DDR SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
M5E568562B | 256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 50ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 11x13x1.2 | Request | |
M5E128566(2)B | 512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 30ns | 1.8V | x16/x32 | DDR333 | TFBGA | 11x13x1.2 | Request | |
M5E1G8566(2)B | 1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16/x32 | DDR333 | TFBGA | 11x13x1.2 | Request | |
M5E1G8126B | 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x16 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Request | |
M5E1G8122B | 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Ready | |
M5E1G81G2B | 1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Ready | |
M5E2G81G2B | 2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Ready | |
M5E4G81G2B | 4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM | 3.3V | x8 | 25ns | 1.8V | x32 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | Request | |
M5E1G6126A | 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM | 1.8V | x16 | 25ns | 1.8V | x16 | DDR333 | TFBGA | 10.5x13x1.2 | 2009/Q3 |
CT46 |
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NOR Flash+DDR-SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT46160BB566 | 16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8/x16 | 70ns | 2.5V | x16 | DDR400 | FBGA | 10x13x1.4 | Ready | |
CT46320BB566 | 32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM | 3.3V | x8/x16 | 70ns | 2.5V | x16 | DDR400 | TFBGA | 8x10x1.2 | Request |
CT72 |
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NOR Flash+M-SDRAM |
Part Number | Description | Flash Voltage | Flash Width | Flash Speed | DRAM/RAM Voltage | DRAM/RAM Width | DRAM/RAM Speed | Package | Outline | Available | |
CT72326MT646 | 32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM | 1.8V | x16 | 70ns | 1.8V | x16 | 133MHz | TFBGA | 8x10x1.2 | Request | |
CT72646MT646 | 64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM | 1.8V | x16 | 70ns | 1.8V | x16 | 133MHz | TFBGA | 8x10x1.2 | Ready |
SiP客制化
System In Package(SiP)的优点
1.体积微型化
2.高灵活性的系统设计
3.减少较长的设计周期及功能验证时间
4.易于整合不同的芯片制程
5.可有效抑制电磁干扰
6.某些不易取得的智财,SiP可用其封装好的集成电路实现其PoP或PiP的结构
SiP开发阶段
1. 工程样品阶段(三至六个月)
2. 量产阶段(二至三个月)
应用领域
钜景专精发展SiP 技术,并运用此技术,钜景研发一系列不同组合的多芯片封装记忆体(Memory MCP)产品,适用于消费性电子产品如数码相机,数位摄影机,智能手机,多媒体手机以及卫星导航系统。并因应消费性电子商品体积越来越轻薄且需整合更多功能的趋势下。钜景持续发展先进memory MCP解决方案并创造SiP产业价值炼。
公司大事纪
- 2019/07:更名为沃福仕股份有限公司
- 2009/04:通过ISO14001:2004认证
- 2008/12:钜景科技于公开市场兴柜,股票代码3637。
- 2008/12:荣获勤业众信亚洲区Fast 500营收成长第十名。
- 2008/08:通过ISO9001:2000认证。
- 2008/07:获得勤业众信台湾高科技Fast 50 营收成长评比第二名。
- 2008/04:发表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP产品。
- 2008/01:宣布以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP进军高阶手机应用市场。
- 2007/12:成功进军韩国市场,并获得韩系数码相机领导大厂设计认可,并量产数码相机系列产品。
- 2007/09:发表M71(NOR+pSRAM)MCP产品主攻多媒体手机应用。
- 2007/07:开发CT72(M-NOR+SDRAM)MCP应用于通讯模组客户端。
- 2007/03:CT48 MCP(10x13mm)产品线,成功设计于美系数码相机品牌厂商。
- 2007/01:研发CT46(NOR+DDR)MCP,并设计使用于数码相机镜头模组。
- 2006/06:全球独家发表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列产品。
- 2006/05:日系品牌大厂使用CT47系列产品,并成功量产其数码相机。
- 2005/09:开发DSC+PDA(CT162)平台。
- 2005/07:研发首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP产品推广于数码相机市场。
- 2004/12:提供IC设计客户端SiP服务并研发ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
- 2004/06:协助系统业者开发Car Navigator相关设计应用。
- 2003/12:发表Bus-Multimedia系统平台。
- 2003/03:研发Car-Alarm相关系统设计。
- 2003/03:开发 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆叠)予IPC厂商。
- 2003/04:研发CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推数码相机客户。
- 2002/02:发表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
- 2002/08:钜景成立。
参考资料
^ http://www.weforce.com.tw (页面存档备份,存于互联网档案馆)
^ 黄继宽,〈SiP理念日趋普及 钜景代客户操刀差异设计〉,《新通讯元件杂志》2009年6月20日
^ 〈引领台湾SiP产业进入下一个获利时代〉,《天下杂志-成长400 7月号 》2008年7月