Rowhammer
Rowhammer是一種對動態隨機存取存儲器(DRAM)攻擊方法。這種攻擊利用了DRAM在運行過程中產生的意外電荷洩漏效應,攻擊會導致存儲器單元洩露電荷並可能造成比特翻轉,攻擊存在的一個原因是現在DRAM存儲單元的高密度排列造成的。一些高端晶片採用ECC(error-correcting code)技術來防止這個問題的發生,而一種稱為ECCploit的攻擊方法可以部分的繞過ECC保護機制[1]。
參考文獻
- ^ Potentially disastrous Rowhammer bitflips can bypass ECC protections. Ars Technica. [2018-11-22]. (原始內容存檔於2018-11-29) (美國英語).
![]() | 這是一篇與軟體相關的小作品。您可以透過編輯或修訂擴充其內容。 |