爾必達存儲器

美光日本
Micron Memory Japan
1999－2012年 2012年至今
公司類型	子公司
ISIN	JP3167640006
成立	1999年12月20日
代表人物	木下嘉隆（社長）
總部	日本 東京都中央區八重洲2丁目2番1號
產業	半導體產業
產品	DRAM
所有權者	美光科技
母公司	美光公司
網站	Micron Technology, Inc.

爾必達製128MB RDRAM

爾必達（英語：Elpida Memory, Inc.）是一間日本記憶體公司，成立於1999年，由日立和NEC的記憶體部門合併而成，擁有30nm製程的廣島製造廠以及在台灣的合資企業瑞晶電子。

爾必達在2012年2月破產，同年5月8日，已申請破產保護的爾必達（Elpida）公布其第二輪競標結果，將與美光（Micron）合併。

2013年7月31日，美國美光科技宣布，已經完成20億美元收購日本爾必達公司的交易。

歷史

• 1999年12月20日，NEC日立記憶體公司成立。
• 2000年5月，NEC日立記憶體改為爾必達記憶體公司。
• 2003年3月，合併了三菱電機的記憶體製造部門。
• 2003年8月，爾必達記憶體公司接受金士頓科技約60億日圓入股。
• 2004年11月，在日本東京證券交易所上市掛牌交易。
• 2006年5月，爾必達記憶體公司公佈的財報顯示爾必達年度銷售收入達到2415億日圓，全球僱員人數3196人。
• 2010年4月3日，爾必達記憶體公司接受金士頓科技185億日圓入股。
• 2010年4月22日，爾必達記憶體公司全球首發採用低功耗40nm技術的4GB DDR3 SDRAM內存顆粒，該技術相比傳統技術內存在功耗上降低達到30%，同時爾必達記憶體公司宣布將拓展Flash Nand快閃記憶體（閃存）產品。
• 2010年9月2日，爾必達記憶體公司宣布，與美國飛索半導體（Spansion）合作，研發成功全球首款電荷捕獲型4GB SLC NAND快閃記憶體（閃存），讀取速度較傳統浮動柵極型技術快閃記憶體（閃存）快一倍，寫入速度快15%。
• 2011年2月25日，爾必達在台灣證券交易所掛牌發行台灣存託憑證（代碼為916665.TW），為該交易所第一個日商公司TDR。
• 2012年2月27日，爾必達向東京地方法院申請破產保護。日本共同通訊社報導，爾必達的負債達到4810億日圓。
• 2012年3月28日，爾必達在東京證券交易所摘牌。
• 2012年3月28日，爾必達在台灣證券交易所掛牌發行的台灣存託憑證下市。
• 2012年5月8日，爾必達公佈其第二輪競標結果，由美光科技（Micron）收購。
• 2014年2月28日，爾必達改為美光記憶體日本（Micron Memory Japan）。

參見

• 瑞薩科技
• 兆基科技 - 坂本幸雄

外部連結

• Elpida 啓示錄：被賣了，還幫忙數錢的經典案例 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）