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局部態密度

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局部態密度(Local density of states)是指在實空間分布的態密度。它可以通過掃描隧道顯微鏡得到,也可以在已知晶體結構和材料特性的情況下,通過計算機仿真得到,比如密度泛函理論

MOSFET中通過計算機仿真實空間分布的態密度。當漏級偏壓為0.6V時,隨著柵極電壓增高,溝道中密度增加,電晶體開通。

固體電子器件中的局部態密度

LDOS可以用來分析器件具體工作原理。比如,右圖是一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)中的LDOS隨著電晶體開通和關閉的變化,該圖通過計算機仿真得到。源極漏極中清晰可見導帶禁帶的分界線,以及束縛能階。在中間的溝道,隨著柵極電壓增加,勢壘高度下降,密度增加,電晶體開通。

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