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零電容隨機存取記憶體

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零電容隨機存取記憶體(英語:Zero-capacitor random access memory,縮寫:Z-RAM)是一種新型的動態隨機存取記憶體,是由Innovative Silicon公司基於SOI技術的浮體效應(Float body effect)研發的。該技術已經被超微半導體(AMD)許可用於未來的微處理器。Innovative Silicon宣稱零電容隨機存取記憶體能夠提供和靜態隨機存取記憶體(SRAM,常在快取中應用)相似的存取速度,但是只使用了單一電晶體,因此能夠提供更高的封裝密度。

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