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45納米製程

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45納米製程半導體製造製程的一個水平。自2007年後期,松下電器英特爾開始大量製造45納米的晶片產品。[1]

晶片製造廠商使用High-k材料來填充柵極,目的是為了減少漏電。至2007年,IBM和英特爾宣佈他們採用了金屬柵極解決方案。

2020年,華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠,預期工廠將從低端45納米晶片做起。

具有45納米製程的產品

參考文獻

  1. ^ IEEE Spectrum: The High-k Solution. [2016-11-05]. (原始內容存檔於2007-10-26). 
先前
65納米製程
半導體器件製造製程 其後
32納米製程