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西爾斯比效應

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西爾斯比效應(英語:Silsbee effect),或西爾斯比定則(Silsbee rule),是弗朗西斯·B·西爾斯比(Francis B. Silsbee)在1916年發表的一個關於超導的結論[1]:對於第一類超導體,超導臨界電流在超導體表面產生的磁場強度等於超導臨界磁場[2]。大於臨界值的磁場會破壞超導態;大於臨界值的電流也會破壞超導體的超導狀態。臨界電流的大小取決於材料的種類以及幾何形狀(對於截面半徑為1毫米的導線,臨界電流可達100安培[3]

導線中的西爾斯比效應

臨界半徑 關於溫度的函數圖像。

邁斯納效應效應的研究中發現,對超導體施加過強的磁場會破壞超導態;能夠施加的最大磁場被稱作超導臨界磁場 。實驗中測得超導臨界磁場與溫度有如下關係[4]

其中 表示絕對零度時的臨界磁場。

根據西爾斯比定則,臨界磁場的大小等於臨界電流所產生的磁場大小,即 安培定律)。因此,導線截面的臨界半徑為

如右圖所示,若電流為定值,升溫會導致臨界半徑也隨之增大,需要截面半徑更大的導線維持超導狀態[注 1]

CGS制下的臨界電流密度可以表示為:

其中 表示超導體的表面厚度。代入 = 500 Oe 和 = 500 Å 可得大約 108 A/cm2 數量級的電流密度[4]

參見

註釋

  1. ^ 結論僅適用於第一類超導體;在第二類超導體中,超導電流可以通過渦旋的形式存在於超導體內部,而第一類超導體的超導電流必須存在於外部表面。

參考資料

  1. ^ Silsbee, Francis B. A note on electrical conduction in metals at low temperatures. Journal of the Washington Academy of Sciences. 1916, 6 (17): 597–602 [2018-05-01]. (原始內容存檔於2020-06-04). 
  2. ^ A.A. Abrikosov; Beknazarov. Fundamentals of the theory of metals. Amsterdam: North-Holland. 1988: 316 [2018-01-19]. ISBN 0444870946. (原始內容存檔於2019-05-02). 
  3. ^ Mermin, Neil W. Ashcroft, N. David. Solid state physics 27. repr. New York: Holt, Rinehart and Winston. 1977: 730. ISBN 0030839939. 
  4. ^ 4.0 4.1 Tinkham, Michael. Introduction to superconductivity 2nd ed. Mineola, NY: Dover Publications. 2004. ISBN 0486435032.