MIS結構

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MIS結構是研究半導體表面電場效應的一種理想化情況，滿足以下幾個條件：一、金屬與半導體的功函數差為零二、在絕緣層內沒有任何電荷且絕緣層完全不導電三、絕緣體與半導體界面處不存在任何界面狀態

取自「https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=MIS结构&oldid=33555873」

分類：

半導體物理學

隱藏分類：