单粒子翻转英文缩写SEU(Single-Event Upsets),航天电子学术语,原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子,计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射,引起电位状态的跳变,“0”变成“1”,或者“1”变成“0”,但一般不会造成器件的物理性损伤。
单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述,单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率,计算质子单粒子翻转率的一般性公式:
R p = ∫ E 0 ∞ σ p ( E ) φ ( E ) d E ( S E U / b i t ⋅ d ) {\displaystyle R_{p}=\int _{E_{0}}^{\infty }\sigma _{p}(E)\varphi (E)\,dE(SEU/bit\cdot d)} 其中: E 0 {\displaystyle E_{0}} 为阈值能量,单位MeV; σ p ( E ) {\displaystyle \sigma _{p}(E)} 为质子单粒子翻转截面积,单位 c m 2 / b i t {\displaystyle cm^{2}/bit} ; φ ( E ) {\displaystyle \varphi (E)} 为质子微分流量。