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半导体中的隧道效应

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半导体中的隧道效应(又称穿隧效应,tunneling effect)是指量子穿隧效应体现在半导体元件上的一个例子。这种现象在半导体元件的尺度不断缩小后愈加明显。[1]

描述

半导体中的穿隧效应,一般发生于半导体元件因散热不佳而过热时,电荷带有过多的动能,越过量子能障,产生非预定的电流。半导体中的电荷包括电子与电洞,基于等效质量的差异,电子比电洞发生穿隧的机率更高。穿隧效应对MOSFET的影响包括:穿隧过绝缘氧化层,或穿隧过通道。除特殊用途(见应用条目)外,这两种穿隧都会使半导体元件失灵。

闸极破坏

一方面由于半导体元件整体的尺度不断缩小,一方面为加强闸极对通道的控制,闸极绝缘氧化层的厚度也愈来愈薄,使得电荷的穿隧效应变得更加明显,也更加严重。电荷穿隧过绝缘氧化层,称为“打穿”(punch through),会导致闸极的破坏。近来,业界尝试以高介电系数(high-k)材料取代以往的二氧化矽绝缘氧化层,以提高等效电容厚度英语Equivalent oxide thickness(equivalent oxide thickness, EOT)。

漏电流

电荷穿隧过通道,会导致漏电流的产生,我们可以由阈值电压(又称为门槛电压或临界电压,threshold voltage)的下降来衡量它的严重性。

应用

穿隧效应不单具有破坏性。某些快闪记忆体(Flash)反过来利用了穿隧效应来储存电荷,这些快闪记忆体在控制闸极(controlling gate)与绝缘氧化层间设有悬浮闸极(floating gate),当于控制闸极施加高电压时,电子被强烈电压吸引而穿过绝缘氧化层到达悬浮闸极,此后电子受困于其中,就使该电晶体储存有电荷资讯。

参考文献

  1. ^ 林景鸿. 具高介電係數與二氧化矽閘極介電層推疊結構金氧半電晶體直接穿隧電流之模擬分析. 台湾: 国立成功大学. 2008年7月 (中文).