Nvidia Ampere| 制造工艺 | |
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| 历史 |
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| 前代产品 | |
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| 后继产品 | |
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安培微架构（Ampere）是NVIDIA于2020年5月发布的一个GPU架构。用以取代圖靈微架構（Turing microarchitecture）。命名為「安培」以向法國物理學家安德烈-馬里·安培（André-Marie Ampère）致敬。Ampere架构拥有晶体管达540亿，是三星8nm级芯片。[1]是世界上晶体管最多的晶片，直到後來被蘋果M1 Max擊敗[2]。
NVIDIA在 GTC 2022 上宣布了安培微架构的繼任者霍普微架构(Hopper)，並在 2021 年 GPU 技術大會上宣布了 2024 年發布的「Ampere Next Next」。
硬件
- NVIDIA A100 Tensor Core GPU基于NVIDIA Ampere架构，是针对 AI、数据分析和 HPC的GPU。[3]
- DGX A100系统集成8个NVIDIA A100 Tensor Core GPU、有着320GB内存，拥有NVIDIA Mellanox® HDR 200Gbps互连以及5Petaflops 的AI性能。[4]
- DGX SuperPOD是140台DGX A100系统运用MellanoxHDR 200Gbps InfiniBand互连技术组成的一个集群，AI计算能力达到了700Petaflops。[5]
- NVIDIA EGX™ A100是NVIDIA于2020年5月发布的基于Ampere架构的一款边缘AI平台。[6]
- NVIDIA GeForce 30系列
- GeForce RTX 3050
- GeForce RTX 3060
- GeForce RTX 3060Ti
- GeForce RTX 3070
- GeForec RTX 3070Ti
- GeForce RTX 3080 10GB
- GeForce RTX 3080 12GB
- GeForce RTX 3080Ti
- GeForce RTX 3090
- GeForce RTX 3090Ti
核心配置
| 核心代号
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GPC
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SM/GPC
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每个SM含有的各类核心
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制程
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显存支持
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芯片面积（mm2）
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晶体管数（亿个）
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| 单精度浮点核心
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双精度浮点核心
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32位整数核心
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张量运算核心
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光线追踪核心
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纹理映射单元
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| GA100
|
8
|
16
|
64
|
32
|
64
|
4
|
-
|
4
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台积电 7nm
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HBM2
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826
|
542
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| GA102
|
7
|
12
|
128
|
-
|
1
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三星 8nm
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GDDR6X
|
628
|
283
|
| GA104
|
4
|
GDDR6
|
393
|
174
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- 在作为计算卡专用的GA100核心中，和其前身一样，每个SM中安排有32个双精度浮点核心；在作为非计算卡使用的GA102等核心中，这些双精度浮点核心被替换为两倍数量的单精度浮点核心。由于单精度浮点核心事实上作为绝大多数游戏的流处理器，因此单个SM表观流处理器数量达到上一代的2倍，RTX 3070的流处理器数量达到近6千个，接近上代旗舰RTX 2080 Ti；但相应的，用单精度浮点核心模拟双精度的效率并不高，因此游戏显卡的双精度浮点计算速度（主要作用于挖矿和深度学习等应用）相较上代并没有明显提升。
- 晶体管密度：GA100使用台积电7nm制程达到约6600万/mm2，GA102、GA104使用三星8nm制程达到约4500万/mm2，而上代的图灵全系列均使用台积电12nm制程，仅达到约2500万/mm2。
- A100显卡中每个SM私有的L1/共享内存容量达到了192KB，相比于前代V100显卡的128KB增加了1.5倍。
记录
2020年7月，根据MLPerf基准测试结果，NVIDIA宣布安培打破16项世界纪录，包括加速器的八项基准测试和集群DGX SuperPOD的八项。[7]
參考資料
外部链接
