约翰·巴丁

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约翰·巴丁1956年和1972年诺贝尔物理学奖得主
John Bardeen
摄于1956年
出生(1908-05-23)1908年5月23日
 美国威斯康辛州麦迪逊
逝世1991年1月30日(1991岁—01—30)(82岁)
 美国马萨诸塞州波士顿
母校威斯康辛大学麦迪逊分校BSMS
普林斯顿大学PhD
知名于点接触晶体管英语Point-contact transistor
场效晶体管
BCS理论
超导现象
表面物理
变形势能理论英语Carrier scattering
巴丁形式主义
马蒂斯-巴丁理论英语Mattis–Bardeen theory
配偶简·马克士威1938年结婚)
儿女詹姆斯·M·巴丁
威廉·A·巴丁
伊丽莎白·格雷塔克[1]
奖项斯图亚特·巴兰汀奖章英语Stuart Ballantine Medal(1952)
奥利弗·巴克利奖(1954)
诺贝尔物理学奖(1956)[2]
弗里茨·伦敦纪念奖英语List of Fritz London Memorial Prizes(1962)
美国国家科学奖章(1965)
IEEE荣誉奖章(1971)
诺贝尔物理学奖(1972)
皇家学会院士(1973)[3]
罗蒙诺索夫金质奖章(1987)
哈罗德·彭德奖英语Harold Pender Award(1988)
科学生涯
研究领域物理学
机构贝尔电话实验室
伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校
明尼苏达大学
论文Quantum Theory of the Work Function(1936年)
博士导师尤金·维格纳[4]
博士生威廉·L·麦克米伦英语William L. McMillan[4]
约翰·施里弗[4]
尼克·何伦亚克[5]
受影响自约翰·范扶累克[6]

约翰·巴丁(英语:John Bardeen,1908年5月23日—1991年1月30日[3])是一名美国物理学家工程师。他是唯一一个两度获得诺贝尔物理学奖的人:第一次是在1956年与威廉·肖克利沃尔特·布拉顿一起发明晶体管;第二次是在1972年与利昂·库珀约翰·施里弗一起发明被称为BCS理论的传统超导现象的基本理论[2][7]

晶体管彻底改变了电子工业,使从电话电脑的几乎所有现代电子设备的发展成为可能,并开创了信息时代。巴丁在超导方面的发展使他获得他的第二个诺贝尔奖——被用于核磁共振光谱(NMR)、医学磁共振成像(MRI)和超导量子电路。

巴丁在威斯康辛州出生和长大,在普林斯顿大学获得物理学博士学位。在第二次世界大战中服役后,他曾在贝尔实验室担任研究员,并在伊利诺伊大学担任教授。1990年,巴丁被《生活》杂志评为“本世纪最具影响力的100位美国人”之一[8]

生平

早年

1908年5月23日,约翰·巴丁出生在威斯康星州麦迪逊市。他是父亲查尔斯·拉塞尔·巴丁(Charles Russell Bardeen)博士与母亲海伦·哈默(Althea Harmer)的第2个儿子。他的父亲是威斯康星大学麦迪逊分校解剖学教授和第1任医学院院长。他的母亲海伦·巴丁结婚前曾任教于杜威实验学校(J. Dewey The laboratory school,即今日芝加哥大学实验学校英语University of Chicago Laboratory Schools),从事室内装潢业务。结婚后她是一个艺术界活跃人物。

约翰·巴丁的很早就显现数学才能。他的七年级数学老师鼓励巴丁继续进修。约翰·巴丁12岁时,母亲因患癌症而病重。[9][10]

巴丁在麦迪逊市的一所大学附属高中就读。他也同时参加了另一所高中的额外课程。他的母亲在此期间去世。1923年,他从高中毕业,时年15岁。

高等教育经历

1923年,他考入威斯康星大学麦迪逊分校电机工程系。因为他不想像父亲一样成为学者,所以选择了具有更好就业前景[11]工程学。大学期间,他参加了高校兄弟会“Zeta Psi”和高校学生荣誉组织“Tau Beta Pi”。他在本科阶段参加了所有自己感兴趣的数理方向的硕士研究生课程。他曾花费了1年时间在芝加哥工作,结果多拖了1年才毕业。[12]1928年,巴丁获得电气工程理学士学位。[13]因学识积累丰富,他在威斯康辛大学升学就读硕士1年之后(1929年),就在列欧·皮特兹(Leo J. Peters)的指导下取得了电气工程硕士学位。[13]他的数学导师是沃伦·韦弗和爱德华·凡弗莱克。他的主要物理导师是约翰·哈斯·布劳克·凡弗莱克,保罗·狄拉克沃纳·海森堡阿诺·索末菲也影响他很多。[13]

1929年,巴丁未能进入剑桥大学三一学院就读,留在威斯康星大学进行研究,担任电机工程研究助理[9]1。后来,他去了海湾石油英语Gulf Oil公司的研究部门“匹兹堡大学海湾研究实验中心”(University of Pittsburgh Applied Research Center)。[9]1930年到1933年,巴丁在那里参与地球磁场重力场勘测方法的研究。对工作厌倦之后,他于1933年又前往普林斯顿大学读博士。巴丁的论文选题方向是固态物理,导师是尤金·维格纳

1935年,还在完成论文的他收到了来自哈佛才俊协会(Society of Fellows at Harvard University)的邀请,并成为其初级研究会员。1935年到1938年,他在哈佛与约翰·凡扶累克珀西·布里奇曼等人合作研究金属的内聚和导电性原子核能级密度。1936年,他获得普林斯顿大学数学物理博士学位。

加入贝尔实验室

1938年到1941年间,巴丁担任明尼苏达大学助理教授,1941年到1945年在华盛顿海军军械实验室工作。1945年10月,约翰·巴丁在贝尔电话公司实验研究所研究半导体金属的导电机制、半导体表面性能等问题。巴丁是固态物理组的成员。组长是威廉·肖克利和化学家斯坦利·摩根(Stanley Morgan)。其他组员还包括沃尔特·布拉顿、物理学家杰拉尔德·皮尔逊(Gerald Pearson),化学家罗伯特·吉尼(Robert Gibney),电子专家希尔伯特·摩尔(Hilbert Moore)和几个技术员。他搬家到新泽西州萨米市英语Summit, New Jersey[14]巴丁在马萨诸塞州学校认识肖克利。巴丁在普林斯顿大学时代通过布拉顿的兄弟鲍勃·布拉顿认识了布拉顿。鲍勃·布拉顿也是普林斯顿大学的学生。无论是在实验室或高尔夫球场,巴丁和布拉顿在周末把所有时间都放在实验和组织理论。

该小组的任务是寻求一种固态放大器来取代易碎的真空管放大器。他们的第1个尝试是根据肖克利的构想,使用从外部施加的电场来影响半导体的导电性。这些实验用遍了各种材料和搭配,但是都失败了。等到巴丁提出一种有关表面态的理论,研究才开始出现转机。巴丁猜想半导体物质的表面存在着一种机制,能激发出一种可防止自身被外场贯穿的特殊状态。小组于是将研究重点改为材料的表面状态,之后几乎每日都有长谈。小组的交流气氛很棒,众人都能各抒己见。[15]

到1946年冬,巴丁他们已经有足够多的研究成果,于是向《物理评论》提交了一篇关于表面态的论文。布拉顿开始研究当亮光照射在半导体表面状态时,其表面态有何可观察的物理变化。这项研究又多产出了几篇论文(其中有一篇有肖克利参与),不仅能更充分地解释他们之前实验失败的原因,还能估计表面态的分布密度。这些工作涉及到半导体、导线和电解质之间的点接触(point contacts),向前迈进了一大步。

摩尔建立了一种易于调节频率的电路,并建议使用一种不易蒸发的化学物质硼酸二醇(glycol borate,gu)。最终,当皮尔逊经肖克利的提醒[16],在P-N结两端的gu液滴上施加电压时,他们发现了显示能量已增幅的迹象。

1947年,巴丁和布拉顿发明了半导体三极管(双极性晶体管)。一个月后,肖克利发明了P-N结晶体管。晶体管效应的发现导致三人后来共同获得了1956年诺贝尔物理学奖

任职伊利诺伊大学

在1951年,巴丁的朋友佛莱德·锡思帮巴丁说服伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校,提供巴丁一份年薪一万元的工作。巴丁由于和肖克利不合,接受了聘用后,离开贝尔实验室,进入伊利诺大学香槟分校电机学院和物理学院担任教授。巴丁建立了2个主要研究计划,一个计划在电机系,另一个在物理系。电机系的研究计划是关于半导体实验和理论,物理系的研究计划是关于宏观量子理论,特别是量子超导性量子液体。他的第1个博士学生正是后来在1962年发明了LED尼克·何伦亚克

1950年代早期,巴丁就已经开始考虑超导电性的问题。他意识到电子声子的相互作用是解决问题的关键。1953年,约翰·施里弗来到伊利诺大学,在巴丁的指导下攻读物理学博士学位,并选择超导问题作为博士论文题目。在普林斯顿高等研究院杨振宁推荐下,刚从哥伦比亚大学获得博士学位不久的利昂·库珀开始与巴丁和施里弗进行合作。1957年,巴丁和库珀、施里弗共同创立了BCS理论,对超导电性做出了合理的解释。他们三人后来也因此获得1972年诺贝尔物理学奖。巴丁也成为第一位,也是目前为止唯一一位两次获得诺贝尔物理学奖的人。

巴丁在1951-1975年间非常活跃,之后更成为荣誉教授。

晚年

研究工作

个人生活

1938年,巴丁与简·麦克斯韦(Jane Maxwell)结婚,婚后育有两子一女。巴丁业余时间喜欢旅游高尔夫球

传记

荣誉与奖项

纪念

伊利诺伊大学香槟分校校园内纪念巴丁和超导理论的纪念牌。

参阅

参考资料

文内引用

  1. ^ Elizabeth Greytak, Systems Analyst. The Boston Globe (Boston). December 25, 2000 [December 27, 2014]. (原始内容存档于March 1, 2016). 
  2. ^ 2.0 2.1 Bardeen Biography from the Nobel Foundation. [2023-01-20]. (原始内容存档于2008-05-18). 
  3. ^ 3.0 3.1 Pippard, B. John Bardeen. 23 May 1908–30 January 1991. Biographical Memoirs of Fellows of the Royal Society. 1994, 39: 20–34. S2CID 121943831. doi:10.1098/rsbm.1994.0002. 
  4. ^ 4.0 4.1 4.2 约翰·巴丁数学谱系计划的资料。
  5. ^ Nice Guys Can Finish As Geniuses at University of Illinois in Urbana-Champaign.. Chicago Tribune: Knight Ridder News Service. January 25, 2003 [August 3, 2007]. (原始内容存档于2015-12-08). 
  6. ^ Bardeen, J. Reminiscences of Early Days in Solid State Physics. Proceedings of the Royal Society of London. Series A, Mathematical and Physical Sciences. 1980, 371 (1744): 77–83 [2023-01-20]. Bibcode:1980RSPSA.371...77B. ISSN 0080-4630. JSTOR 2990278. S2CID 121788084. doi:10.1098/rspa.1980.0059. (原始内容存档于2023-05-11). 
  7. ^ Hoddeson, Lillian and Vicki Daitch. True Genius: the Life and Science of John Bardeen. National Academy Press, 2002. ISBN 0-309-08408-3
  8. ^ John Bardeen, Nobelist, Inventor of Transistor, Dies. Washington Post. January 31, 1991 [August 3, 2007]. (原始内容存档于November 2, 2012). 
  9. ^ 9.0 9.1 9.2 True Genius: The Life and Science of John Bardeen, Joseph Henry Press, 2002.
  10. ^ 旷世奇才:巴丁传 上海科技教育出版社 ,2007
  11. ^ Biography of John Bardeen 1. PBS. [2007-12-24]. (原始内容存档于2011-02-20) (英语). 
  12. ^ David Pines. John Bardeen: genius in action. physicsworld.com. 2003年5月1日 [2008年1月7日]. (原始内容存档于2007年10月20日). 
  13. ^ 13.0 13.1 13.2 Curriculum Vitae of John Bardeen. The Nobel Foundation. [2007年11月1日]. (原始内容存档于2018年6月12日) (英语). 
  14. ^ Hoddeson 2002,第117页,摘录:"Soon, however, life in Summit would become easy and rich for the Bardeens."
  15. ^ Brattain,第127页。
  16. ^ Brattain,第132页。
  17. ^ 谢婧 (选稿). 科教社:"哲人石丛书"出版十年 四个系列86个品种. 东方网. 2009年8月5日 [2018年5月22日]. (原始内容存档于2021年1月7日) (中文(中国大陆)). 

补充来源

外部链接