极紫外光刻

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極紫外光微影的成像機制

极紫外光刻(英语:extreme ultraviolet lithography,台湾称为极紫外光微影,简称“EUV”或“EUVL”)又稱作超紫外線平版印刷術, 是一种使用極紫外光波長的光刻技術,目前用于7納米以下的先進製程,于2020年得到廣泛應用[1][2][3][4]

DUV微影製程

晶圓製造過程裡有一道程序是將設計好的電路圖案(Pattern)縮小轉印到晶圓上,此道製程便稱之為光刻, 7奈米以前的製程使用248或193奈米波長的光做為光源來進行微影。早期市面上DUV微影製程機台的供應商以Canon以及Nikon為主, 浸润式光刻英语Immersion lithography出現後DUV微影製程機台改由艾司摩爾所獨霸。

EUV微影製程

微影製程中若想要優化電路圖案(Pattern)的解析度有兩種做法,一是增加數值孔徑, 二是降低光源波長。EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度,由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由艾司摩爾所開發出的Twinscan光刻機所獨霸一方。[5][6]

光罩

EUV光罩與傳統光罩也截然不同,具複合多塗層反射鏡(分散式布拉格反射器)的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜光罩雖然可維持光罩的反射率,但另一方面會影響臨界線寬、輪廓、刻線邊緣粗糙度。

参考资料

  1. ^ Intel 7nm by 2019. [2018-04-02]. (原始内容存档于2018-10-06). 
  2. ^ Globalfoundries EUV by 2020. [2018-04-02]. (原始内容存档于2019-08-10). 
  3. ^ Samsung 7nm by 2020. [2018-04-02]. (原始内容存档于2017-01-03). 
  4. ^ TSMC 5nm by 2020. [2018-04-02]. (原始内容存档于2021-01-17). 
  5. ^ 存档副本. [2017-12-08]. (原始内容存档于2017-01-03). 
  6. ^ [1]页面存档备份,存于互联网档案馆[來源可靠?]